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参数资料
| 型号： | IXTY12N06T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTU12N06T
IXTY12N06T
34
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
34
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
32
R G = 50 ?
32
30
28
26
24
V GS = 10V
V DS = 30V
30
28
26
24
R G = 50 ?
V GS = 10V
V DS = 30V
T J = 25oC
22
I
D
= 12A
22
20
I
D
= 6A
20
18
18
16
14
12
16
14
12
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
6
7
8
9
10
11
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
32
21
22
36
30
t r
t d(on) - - - -
20
t f
t d(off) - - - -
34
28
26
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
19
18
21
R G = 50 ? , V GS = 10V
V DS = 30V
I D = 6A
32
30
24
22
20
18
16
14
17
16
15
14
13
12
20
19
18
I D = 12A
I D = 6A
28
26
24
22
20
12
10
I D = 6A, 12A
11
10
17
I D = 12A
18
16
50
60
70
80
90
100
110
120
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
21
32
45
t f
t d(off) - - - -
44
30
40
T J = 125oC, V GS = 10V
40
20
19
T J = 25oC
T J = 125oC
28
26
24
35
30
V DS = 30V
I D = 6A
36
32
22
25
28
18
t f
t d(off) - - - -
20
20
24
R G = 50 ? , V GS = 10V
V DS = 30V
18
15
I
D
= 12A
20
17
16
10
16
6
7
8
9
10
11
12
50
60
70
80
90
100
110
120
I D - Amperes
2008 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_12N06T(U1) 4-03-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EVAL-433-LR | KIT BASIC EVAL 433MHZ LR SERIES |
| EVAL-418-HHLR | KIT EVAL FOR HHLR 418MHZ XMITTER |
| MDEV-433-HH-LR8-HS | KIT DEV TX 433MHZ HS LONG-RANGE |
| PM113-625.0M | OSC 625.0000 MHZ 3.3V LVPECL |
| FCPF20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY12N06TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
| IXTY15N20T | 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY15P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY18P10T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 |
| IXTY1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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