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参数资料
| 型号： | IXTY4N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA4N60P IXTP4N60P
IXTU4N60P IXTY4N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-263 (IXTA) Outline
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D =0.5 I D25
R G = 30 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
2.8
4.6
635
65
5.7
25
10
50
20
13.0
6.0
4.0
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
1.41 ° C/W
R thCS
(TO-220)
0.25
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 4 A
-di/dt = 100 A/ μ s
500
4
12
1.5
A
A
V
ns
TO-220 (IXTP) Outline
TO-251 (IXTU) Outline
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
e
e1
H
L
2.19
0.89
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
6.35
2.28
4.57
17.02
8.89
2.38
1.14
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
6.73
BSC
BSC
17.78
9.65
.086
0.35
.025
.030
.205
.018
.018
.235
.250
.090
.180
.670
.350
.094
.045
.035
.045
.215
.023
.023
.245
.265
BSC
BSC
.700
.380
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
1.
2.
Gate
Drain
L1
L2
1.91
0.89
2.28
1.27
.075
.035
.090
.050
3.
4.
Source
Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
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| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
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