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参数资料
| 型号： | IXTY4N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA4N60P IXTP4N60P
IXTU4N60P IXTY4N60P
4
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
8
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
3.5
3
2.5
V GS = 10V
8V
7V
7
6
5
V GS = 10V
8V
7V
2
1.5
1
4
3
2
0.5
0
6V
1
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
4
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
3.5
3
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.5
V GS = 10V
2.2
2.5
1.9
2
1.5
1
0.5
0
6V
5V
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 4A
I D = 2A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
4.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
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