- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录466 > IXTY4N60P (IXYS)MOSFET N-CH TO-252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTY4N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA4N60P IXTP4N60P
IXTU4N60P IXTY4N60P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
10.0
1.0
0.1
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
TO-252 AA (IXTY) Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
L3
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.025
0.035
0.100
0.040
0.050
0.115
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。