参数资料
型号: IXTY4N60P
厂商: IXYS
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH TO-252
标准包装: 75
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 635pF @ 25V
功率 - 最大: 89W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 管件
IXTA4N60P IXTP4N60P
IXTU4N60P IXTY4N60P
6
5.4
4.8
Fig. 7. Input Adm ittance
10
9
8
Fig. 8. Transconductance
4.2
3.6
3
2.4
7
6
5
4
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
1.8
1.2
0.6
0
T J =125 o C
25 o C
-40 o C
3
2
1
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
1
2
3
4
5
6
7
14
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
12
10
8
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 2A
I G = 10mA
6
4
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
2
1
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
10.00
Q G - nanoCoulombs
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Resistance
f = 1MHz
C iss
1000
1.00
100
C oss
0.10
10
1
C rss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
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