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参数资料
| 型号： | K8S1215EZC-SC1C0 |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件页数： | 36/83页 |
| 文件大小： | 1511K |
| 代理商： | K8S1215EZC-SC1C0 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页当前第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页
Figure 15. Chlp/Block Erase Operations
- 41 -
K8S1215E(T/B/Z)C
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.1
SWITCHING WAVEFORMS
Erase Operation
NOTE :
1) BA is the block address for Block Erase.
2) Address bits A16–A24 are don’t cares during unlock cycles in the command sequence.
3) Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Erase Command Sequence (last two cycles)
AVD
A16:A24
WE
CE
tAVDP
tAS
tAH
tDS
tDH
tCH
tBERS
tVCS
BA
VA
In
Progress
Complete
30h
BA
55h
2AAh
A/DQ0:
A/DQ15
OE
VCC
Read Status Data
555h for
chip erase
10h for
chip erase
tWP
tCS
tWPH
tWC
CLK
VIL
≈
tWEA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8S5515ETC-SC1E0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K8S2815ETE | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb E-die NOR FLASH |
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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