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参数资料
| 型号： | KFM4GH6Q4M-DEB80 |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA63 |
| 封装： | 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
| 文件页数： | 18/142页 |
| 文件大小： | 2226K |
| 代理商： | KFM4GH6Q4M-DEB80 |
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Flex-MuxOneNAND4G(KFM4GH6Q4M-DEBx)
- 114 -
FLASH MEMORY
Flex-MuxOneNAND8G(KFN8GH6Q4M-DEBx)
Flex-MuxOneNAND16G(KFKAGH6Q4M-DEBx)
5.9 AC Characteristics for Load/Program/Erase Performance
See Timing Diagrams 6.9, 6.10, 6.11, 6.12, 6.13 and 6.14
NOTE :
1) These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-down resistor value.
5.10 AC Characteristics for INT Auto Mode
See Timing Diagram 6.22
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
tRD1
SLC
-25
75
s
MLC
30
100
s
Page Load time(Note 1)
tRD2
SLC
-
45
400
s
MLC
-
50
420
s
Page Program time(Note 1)
tPGM2
SLC
-
240
770
s
MLC
1000
5000
s
OTP Access Time(Note 1)
tOTP
-
500
700
ns
Lock/Unlock/Lock-tight(Note 1)
tLOCK
-
500
700
ns
All Block Unlock Time(Note 1)
tABU
-2
3
s
Erase Suspend Time(Note 1)
tESP
-
400
500
s
Erase Resume Time(Note 1)
tERS1
-0.5
11
ms
Number of Partial Program Cycles in the page (Including main and
spare area)
NOP
SLC
-
1
cycles
MLC
-
1
cycles
Block Erase time (Note 1)
tBERS1
-0.5
11
ms
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Command Input to INT Low
tWB
-
200
ns
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