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参数资料
| 型号： | LAMXO640E-3FTN256E |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 14/77页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 640LUTS 256TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | LA-MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.9ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 159 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FTBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
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2-18
Architecture
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
Table 2-10. Supported Output Standards
sysIO Buffer Banks
The number of Banks vary between the devices of this family. Eight Banks surround the two larger devices, the LA-
MachXO1200 and LA-MachXO2280 (two Banks per side). The LA-MachXO640 has four Banks (one Bank per
side). The smallest member of this family, the LA-MachXO256, has only two Banks.
Each sysIO buffer Bank is capable of supporting multiple I/O standards. Each Bank has its own I/O supply voltage
(VCCIO) which allows it to be completely independent from the other Banks. Figure 2-18, Figure 2-18, Figure 2-20
and Figure 2-21 shows the sysIO Banks and their associated supplies for all devices.
Output Standard
Drive
VCCIO (Typ.)
Single-ended Interfaces
LVTTL
4mA, 8mA, 12mA, 16mA
3.3
LVCMOS33
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
3.3
LVCMOS25
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
2.5
LVCMOS18
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
1.8
LVCMOS15
4mA, 8mA
1.5
LVCMOS12
2mA, 6mA
1.2
LVCMOS33, Open Drain
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
—
LVCMOS25, Open Drain
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
—
LVCMOS18, Open Drain
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
—
LVCMOS15, Open Drain
4mA, 8mA
—
LVCMOS12, Open Drain
2mA, 6mA
—
PCI33
3
N/A
3.3
Differential Interfaces
LVDS
1, 2
N/A
2.5
BLVDS, RSDS
2
N/A
2.5
LVPECL
2
N/A
3.3
1. LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 devices have dedicated LVDS buffers.
2. These interfaces can be emulated with external resistors in all devices.
3. Top Banks of LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 devices only.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LAMXO640C-3FTN256E | IC FPGA 640LUTS 256TQFP |
| TAP475M016SRW | CAP TANT 4.7UF 16V 20% RADIAL |
| MIC5237-3.3BU | IC REG LDO 3.3V .5A TO263 |
| LCMXO1200E-5M132C | IC PLD 1200LUTS 101I/O 132-BGA |
| MAX5900LAEUT+T | IC HOT-SWAP CONTROLLER SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LAMXO640E-3TN100E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640E-3TN144E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640LUTSC-3FTN256E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
| LAMXO640LUTSC-3FTN324E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
| LAMXO640LUTSC-3TN100E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
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