- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19790 > LAMXO640E-3FTN256E (Lattice Semiconductor Corporation)IC FPGA 640LUTS 256TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | LAMXO640E-3FTN256E |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 5/77页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 640LUTS 256TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | LA-MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 4.9ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 宏单元数： | 320 |
| 输入/输出数： | 159 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FTBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页当前第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页
2-10
Architecture
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
Table 2-5. PLL Signal Descriptions
For more information on the PLL, please see details of additional technical documentation at the end of this data
sheet.
sysMEM Memory
The LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 devices contain sysMEM Embedded Block RAMs (EBRs). The EBR
consists of a 9-Kbit RAM, with dedicated input and output registers.
sysMEM Memory Block
The sysMEM block can implement single port, dual port, pseudo dual port, or FIFO memories. Each block can be
used in a variety of depths and widths as shown in Table 2-6.
Table 2-6. sysMEM Block Congurations
Signal
I/O
Description
CLKI
I
Clock input from external pin or routing
CLKFB
I
PLL feedback input from PLL output, clock net, routing/external pin or internal feedback from
CLKINTFB port
RST
I
“1” to reset the input clock divider
CLKOS
O
PLL output clock to clock tree (phase shifted/duty cycle changed)
CLKOP
O
PLL output clock to clock tree (No phase shift)
CLKOK
O
PLL output to clock tree through secondary clock divider
LOCK
O
“1” indicates PLL LOCK to CLKI
CLKINTFB
O
Internal feedback source, CLKOP divider output before CLOCKTREE
DDAMODE
I
Dynamic Delay Enable. “1”: Pin control (dynamic), “0”: Fuse Control (static)
DDAIZR
I
Dynamic Delay Zero. “1”: delay = 0, “0”: delay = on
DDAILAG
I
Dynamic Delay Lag/Lead. “1”: Lag, “0”: Lead
DDAIDEL[2:0]
I
Dynamic Delay Input
Memory Mode
Congurations
Single Port
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
True Dual Port
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
Pseudo Dual Port
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
FIFO
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LAMXO640C-3FTN256E | IC FPGA 640LUTS 256TQFP |
| TAP475M016SRW | CAP TANT 4.7UF 16V 20% RADIAL |
| MIC5237-3.3BU | IC REG LDO 3.3V .5A TO263 |
| LCMXO1200E-5M132C | IC PLD 1200LUTS 101I/O 132-BGA |
| MAX5900LAEUT+T | IC HOT-SWAP CONTROLLER SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LAMXO640E-3TN100E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640E-3TN144E | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LAMXO640LUTSC-3FTN256E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
| LAMXO640LUTSC-3FTN324E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
| LAMXO640LUTSC-3TN100E | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。