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参数资料
| 型号： | LC4512B-35FN256C |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 中文描述： | EE PLD, 3.5 ns, PBGA256 |
| 封装： | LEAD FREE, FPBGA-256 |
| 文件页数： | 7/99页 |
| 文件大小： | 441K |
| 代理商： | LC4512B-35FN256C |
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Lattice Semiconductor
ispMACH 4000V/B/C/Z Family Data Sheet
15
Absolute Maximum Ratings
1, 2, 3
ispMACH 4000C/Z
ispMACH 4000B
ispMACH 4000V
(1.8V)
(2.5V)
(3.3V)
Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 2.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 5.5V.. . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V
Output Supply Voltage (VCCO) . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 4.5V.. . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V
Input or I/O Tristate Voltage Applied
4, 5 . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V . . . . . . . . . .-0.5 to 5.5V.. . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 150°C. . . . . . . . . -65 to 150°C. . . . . . . . . .-65 to 150°C
Junction Temperature (Tj) with Power Applied . . . -55 to 150°C. . . . . . . . . -55 to 150°C. . . . . . . . . .-55 to 150°C
1. Stress above those listed under the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specication
is not implied.
2. Compliance with Lattice Thermal Management document is required.
3. All voltages referenced to GND.
4. Undershoot of -2V and overshoot of (VIH (MAX) + 2V), up to a total pin voltage of 6.0V, is permitted for a duration of < 20ns.
5. Maximum of 64 I/Os per device with VIN > 3.6V is allowed.
Recommended Operating Conditions
Erase Reprogram Specications
Hot Socketing Characteristics
1,2,3
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
VCC
Supply Voltage for 1.8V Devices
ispMACH 4000C
1.65
1.95
V
ispMACH 4000Z
1.7
1.9
V
ispMACH 4000Z, Extended Functional Voltage
Operation
1.6
1, 2
1.9
V
Supply Voltage for 2.5V Devices
2.3
2.7
V
Supply Voltage for 3.3V Devices
3.0
3.6
V
Tj
Junction Temperature (Commercial)
0
90
C
Junction Temperature (Industrial)
-40
105
C
Junction Temperature (Extended)
-40
130
C
1. Devices operating at 1.6V can expect performance degradation up to 35%.
2. Applicable for devices with 2004 date codes and later. Contact factory for ordering instructions.
Parameter
Min.
Max.
Units
Erase/Reprogram Cycle
1,000
—
Cycles
Note: Valid over commercial temperature range.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IDK
Input or I/O Leakage Current
0 ≤ VIN ≤ 3.0V, Tj = 105°C
—
±30
±150
A
0 ≤ VIN ≤ 3.0V, Tj = 130°C
—
±30
±200
A
1. Insensitive to sequence of VCC or VCCO. However, assumes monotonic rise/fall rates for VCC and VCCO, provided (VIN - VCCO) ≤ 3.6V.
2. 0 < VCC < VCC (MAX), 0 < VCCO < VCCO (MAX).
3. IDK is additive to IPU, IPD or IBH. Device defaults to pull-up until fuse circuitry is active.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LC4256B-5FN256BC | |
| LC4256C-5FN256BC | |
| LC4256B-10FN256BI | |
| LC4256V-5FN256BC | |
| LC4512B-75FN256C | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LC4512B-35FN256C1 | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V/2.5V/1.8V In-System Programmable SuperFAST High Density PLDs |
| LC4512B-35FT256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 ispJTAG 2.5V 3.5ns 512MC 208 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LC4512B-35FTN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 ispJTAG 2.5V 3.5ns 512MC 208 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LC4512B-35T176C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE SUPER FAST HI DENSITY PLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LC4512B-35TN176C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE SUPER FAST HI DENSITY PLD RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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