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参数资料
| 型号： | LFEC1E-3TN100C |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 96/163页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1.5KLUTS 67I/O 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EC |
| 逻辑元件/单元数： | 1500 |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 67 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 其它名称： | 220-1233 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页当前第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页
3-2
DC and Switching Characteristics
LatticeECP/EC Family Data Sheet
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IIL, IIH
1
Input or I/O Leakage
0 VIN (VCCIO - 0.2V)
—
10
A
IIH
1, 3
Input or I/O High Leakage
(VCCIO - 0.2V) VIH 3.6V
—
40
A
IPU
I/O Active Pull-up Current
0 VIN 0.7 VCCIO
-30
—
-150
A
IPD
I/O Active Pull-down Current
VIL (MAX) VIN VIH (MAX)
30
—
150
A
IBHLS
Bus Hold Low sustaining current
VIN = VIL (MAX)
30
—
A
IBHHS
Bus Hold High sustaining current
VIN = 0.7VCCIO
-30
—
A
IBHLO
Bus Hold Low Overdrive current
0 VIN VIH (MAX)
—
150
A
IBHLH
Bus Hold High Overdrive current
0 VIN VIH (MAX)
—
-150
A
VBHT
Bus Hold trip Points
0 VIN VIH (MAX)
VIL (MAX)
—
VIH (MIN)
V
C1
I/O Capacitance
2
VCCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
VCC = 1.2V, VIO = 0 to VIH (MAX)
—8
—
pf
C2
Dedicated Input Capacitance
2
VCCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
VCC = 1.2V, VIO = 0 to VIH (MAX)
—6
—
pf
1. Input or I/O leakage current is measured with the pin configured as an input or as an I/O with the output driver tri-stated. It is not measured
with the output driver active. Bus maintenance circuits are disabled.
2. TA 25
oC, f = 1.0MHz
3. For top and bottom general purpose I/O pins, when VIH is higher than VCCIO, a transient current typically of 30ns in duration or less with a
peak current of 6mA can occur on the high-to-low transition. For left and right I/O banks, VIH must be less than or equal to VCCIO.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B21-CW | CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W |
| HMC36DREH-S93 | CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET |
| VI-2NX-EU | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W |
| VI-2NF-EU | CONVERTER MOD DC/DC 72V 200W |
| AIML-0805-R18K-T | INDUCTOR MULTILAYER 0.18UH 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LFEC1E-3TN100I | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 1.5K LUTs 67 I/O 1.2V -3 Speed IND RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC1E-3TN144C | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 1.5K LUTs Pb-Free RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC1E-3TN144I | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 1.5K LUTs 97 I/O 1.2V -3 Speed IND RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC1E-4F256C | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeECP/EC Family Data Sheet |
| LFEC1E-4F256I | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeECP/EC Family Data Sheet |
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