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参数资料
| 型号： | LT3579EFE#PBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 19/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG MULTI CONFIG SYNC 20TSSOP |
| 标准包装： | 74 |
| 类型： | 升压（升压），反相，回扫，Sepic |
| 输出数： | 1 |
| 输入电压： | 2.5 V ~ 16 V |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 频率 - 开关： | 200kHz ~ 2.5MHz |
| 电流 - 输出： | 6A |
| 同步整流器： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP-EP |
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LT3579/LT3579-1
APPLICATIONS INFORMATION
The following example calculates the power dissipation
in the LT3579 for a particular boost application:
(V IN = 5V, V OUT = 12V, I OUT = 1.5A, f OSC = 1MHz,
V D = 0.5V, V CESAT = 0.185V).
where T J =Die Junction Temperature, T A =Ambient Tem-
perature, P TOTAL is the final result from the calculations
shown in Table 4, and θ JA is the thermal resistance from
the silicon junction to the ambient air.
To calculate die junction temperature, use the appropriate
thermal resistance number and add in worst-case ambient
temperature:
T J = T A + θ JA ? P TOTAL
Table 4. Boost Power Calculations Example with V IN = 5V, V OUT = 12V, I OUT = 1.5A, f OSC = 1MHz, V D = 0.5V, V CESAT = 0.185V
DEFINITION OF VARIABLES
EQUATIONS
DESIGN EXAMPLE
VALUE
DC = Switch Duty Cycle
DC =
V OUT – V IN + V D
V OUT + V D – V CESAT
DC =
12V – 5V + 0.5V
12V + 0.5V – .185V
DC = 60.9%
I IN = Average Input Current
η = Power Conversion Efficiency
(typically 90% at high currents)
I IN =
V OUT ? I OUT
V IN ? η
I IN =
12V ? 1.5A
5V ? 0.9
I IN = 4A
P SW = Switch I 2 R Loss
R SW = Switch Resistance (typically
45mΩ combined SW1 and SW2)
P BAC = Base Drive Loss (AC)
P SW = DC ? I IN 2 ? R SW
P BAC = 13ns ? I IN ? V OUT ? f OSC
P SW = 0.609 ? (4A) 2 ? 45m ?
P BAC = 13ns ? 4A ? 12V ? 1MHz
P SW = 438mW
P BAC = 624mW
P BDC = Base Drive Loss (DC)
P BDC =
V IN ? I IN ? DC
40
P BDC =
5V ? 4A ? 0.609
40
P BDC = 305mW
P INP = Input Power Loss
P INP = 14mA ? V IN
P INP = 14mA ? 5V
P INP = 70mW
P TOTAL = 1.437W
35791f
19
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