参数资料
| 型号： | LTC3730CG#TR |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 25/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR BUCK POLYPHASE 36-SSOP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 应用： | 控制器，Intel 移动式 VID |
| 输入电压： | 4 V ~ 36 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.6 V ~ 1.75 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 36-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 36-SSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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LTC3730
APPLICATIO S I FOR ATIO
? I
?
P COMPATH ≈ N ? MAX ? ( R L SENSE OUTESR Loss
) + C
? N ?
?
? ? I
? V
( )
P MAIN = N ? OUT ? ? MAX ? 1 + δ R DS ( ON ) + C INESR Loss
? ? I
?
?
V
P SYNC = N ? 1 – OUT ? ? MAX ? ( 1 + δ ) R DS ( ON )
Efficiency Calculation
To estimate efficiency, the DC loss terms include the input
and output capacitor ESR, each MOSFET R DS(ON) , induc-
tor resistance R L , the sense resistance R SENSE and the
forward drop of the Schottky rectifier at the operating
output current and temperature. Typical values for the
design example given previously in this data sheet are:
Main MOSFET R DS(ON) = 7m ? (9m ? at 90 ° C)
Sync MOSFET R DS(ON) = 7m ? (9m ? at 90 ° C)
C INESR = 20m ?
C OUTESR = 3m ?
R L = 2.5m ?
R SENSE = 3m ?
V SCHOTTKY = 0.8V at 15A (0.7V at 90 ° C)
V OUT = 1.3V
V IN = 12V
I MAX = 45A
δ = 0.5%/ ° C
N=3
f = 400kHz
The main MOSFET is on for the duty factor V OUT /V IN and
performance. A maximum operating junction temperature
of 90 ° to 100 ° C for the MOSFETs is recommended for
high reliability applications.
Common output path DC loss:
2
+ R
This totals 3.375W + C OUTESR loss.
Total of all three main MOSFETs’ DC loss:
2
? V IN ? ? N ?
This totals 0.87W + C INESR loss at 90 ° C.
Total of all three synchronous MOSFETs’ DC loss:
2
? V IN ? ? N ?
This totals 7.2W at 90 ° C.
Total of all three main MOSFETs’ AC loss:
the synchronous MOSFET is on for the rest of the period
or simply (1 – V OUT /V IN ). Assuming the ripple current is
small, the AC loss in the inductor can be made small if a
P MAIN ≈ 3 ( V IN ) 2
45 A
( 2 )( 3 )
( 2 ? )( 1000 pF )
?
? ( 400 kHz ) = 6 . 3 W
good quality inductor is chosen. The average current,
I OUT , is used to simplify the calaculations. The equation
below is not exact but should provide a good technique
? 1
? 5 V – 1 . 8 V
+
1 ?
1 . 8 V ?
for the comparison of selected components and give a
result that is within 10% to 20% of the final application.
Determining the MOSFETs’ die temperature may require
This totals 1W at V IN = 8V, 2.25W at V IN = 12V and 6.25W
at V IN = 20V.
iterative calculations if one is not familiar with typical
3730fa
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