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参数资料
| 型号： | M28C64C |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| 中文描述： | 64千位8KB的x8并行的EEPROM |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | M28C64C |
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
t
AVWL
t
AS
Address Validto Write Enable Low
E = V
IL
, G = V
IH
0
ns
t
AVEL
t
AS
Address Validto Chip Enable Low
G = V
IH
, W = V
IL
0
ns
t
ELWL
t
CES
Chip Enable Low to Write Enable Low
G = V
IH
0
ns
t
GHWL
t
OES
Output EnableHigh to Write Enable
Low
E = V
IL
0
ns
t
GHEL
t
OES
Output EnableHigh to Chip Enable Low
W = V
IL
0
ns
t
WLEL
t
WES
Write Enable Low to Chip Enable Low
G = V
IH
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
150
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
150
ns
t
WLDV
t
DV
Write Enable Low to Input Valid
E = V
IL
, G = V
IH
1
μ
s
t
ELDV
t
DV
Chip Enable Low to Input Valid
G = V
IH
, W = V
IL
1
μ
s
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
150
ns
t
ELEH
t
WP
Chip Enable Low to Chip Enable High
150
ns
t
WHEH
t
CEH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable
Low
10
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to OutputEnable Low
10
ns
t
EHWH
t
WEH
Chip Enable High to WriteEnable High
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
0
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
200
ns
t
WHWH
t
BLC
Byte Load Repeat Cycle Time
0.35
50
μ
s
t
WHRH
t
WC
Write Cycle Time
5
ms
t
WHRL
t
DB
Write Enable High to Ready/Busy Low
Note 1
220
ns
t
EHRL
t
DB
Chip Enable High to Ready/Busy Low
Note 1
220
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid before Write Enable High
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Valid before Chip Enable High
50
ns
Note
: 1.With a 3.3 k
external pull-up resistor.
Table 9. Write ModeAC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to 85
°
C, V
CC
=
4.5V to 5.5V)
7/15
M28C64C, M28C64X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28C64X | 64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28F102 | 1 Mbit (128Kb x8, Bulk) Flash Memory(1M位闪速存储器) |
| M28F220 | 2Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Flash Memory(2Mb闪速存储器) |
| M28F256 | 256 Kbit (32Kb x8, Bulk) Flash Memory(256K位闪速存储器) |
| M28F410 | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4M位(512Kx8/256K x16）闪速存储器) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28C64C-150K1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28C64C-150K6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 DISC BY STM 3/01 PLCC-32 8KX8 150NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M28C64C-150MS1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28C64C-150MS6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 DISC BY STM 3/01 SO-28 8KX8 150NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M28C64C-150N1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
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