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参数资料
| 型号： | M28F410 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4M位(512Kx8/256K x16）闪速存储器) |
| 中文描述： | 4兆位（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引导块）快闪记忆体（4分位（512Kx8/256K × 16）闪速存储器） |
| 文件页数： | 1/31页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | M28F410 |
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M28F410
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory
September 1998
1/31
AI02259
18
A0-A17
W
DQ0-DQ14
VPP
VCC
M28F410
G
E
VSS
15
RP
BYTE
DQ15A–1
Figure 1. LogicDiagram
5V
±
10% SUPPLYVOLTAGE
12V
±
5% or
±
10% PROGRAMMING
VOLTAGE
FASTACCESS TIME: 60ns
PROGRAM/ERASECONTROLLER (P/E.C.)
AUTOMATICSTATIC MODE
MEMORYERASE in BLOCKS
– BootBlock (Top location) withhardware
write and erase protection
– Parameterand Main Blocks
100,000 PROGRAM/ERASECYCLES
LOW POWER CONSUMPTION
20 YEARSDATARETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– ManufacturerCode: 0020h
– Device Code: 00F2h
DESCRIPTION
The M28F410 Flash memory is a non-volatile
memorythatmaybeerasedelectricallyat theblock
level and programmed by byte or by word. The
interface is directly compatible with most micro-
processors.It is offered in SO44package.
A0-A16
Address Inputs
DQ0-DQ7
Data Input / Outputs
DQ8-DQ14
Data Input / Outputs
DQ15A–1
Data Input/Output or Address Input
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
BYTE
Byte/Word Organization
RP
Reset/Power Down/Boot Block
Unlock
V
PP
Program & Erase SupplyVoltage
V
CC
Supply Voltage
V
SS
Ground
Table1. SignalNames
44
1
SO44 (M)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F411 | 4 Mbit (512Kb x8, Boot Block) Flash Memory(4M位闪速存储器) |
| M28F420 | 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4Mb闪速存储器) |
| M28LV16 | 16K (2K x 8) Parallel EEPROM with Software Data Protection(16K低压并行EEPROM,软件数据保护) |
| M28LV17 | 16K (2K x 8) Parallel EEPROM with Software Data Protection(16K低压并行EEPROM,软件数据保护) |
| M28W160B | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28F411-90N1 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 DISC BY STM 10/01 TSOP-40 512KX8 90NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M28F420 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Megabit (x8 or x16, Block Erase) FLASH MEMORY |
| M28F512 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
| M28F512-10C1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
| M28F512-12B1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
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