参数资料
型号: M28F410
厂商: 意法半导体
英文描述: 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4M位(512Kx8/256K x16)闪速存储器)
中文描述: 4兆位(512KB的x8或256Kb的x16插槽,引导块)快闪记忆体(4分位(512Kx8/256K × 16)闪速存储器)
文件页数: 14/31页
文件大小: 207K
代理商: M28F410
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M28F410
相关PDF资料
PDF描述
M28F411 4 Mbit (512Kb x8, Boot Block) Flash Memory(4M位闪速存储器)
M28F420 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4Mb闪速存储器)
M28LV16 16K (2K x 8) Parallel EEPROM with Software Data Protection(16K低压并行EEPROM,软件数据保护)
M28LV17 16K (2K x 8) Parallel EEPROM with Software Data Protection(16K低压并行EEPROM,软件数据保护)
M28W160B 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相关代理商/技术参数
参数描述
M28F411-90N1 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 DISC BY STM 10/01 TSOP-40 512KX8 90NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
M28F420 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Megabit (x8 or x16, Block Erase) FLASH MEMORY
M28F512 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory
M28F512-10C1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory
M28F512-12B1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory