- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377808 > M28F410 (意法半导体) 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4M位(512Kx8/256K x16）闪速存储器) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M28F410 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4M位(512Kx8/256K x16）闪速存储器) |
| 中文描述： | 4兆位（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引导块）快闪记忆体（4分位（512Kx8/256K × 16）闪速存储器） |
| 文件页数： | 24/31页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | M28F410 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
Write
40h
Command
AI01278
Start
Write
Address
& Data
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
YES
NO
b4 = 0
End
VPP
Low
Error (1, 2)
Program
Error (1, 2)
PG
instruction:
– write40h
command
– writeAddress &
Data
(memory enters read status
state after the PG instruction)
do:
– read status
register
(E or G must be toggled)
while b7 = 1
If b3 = 0, VPPlow
error:
– errorhandler
If b4 = 0, Program
error:
– errorhandler
Figure 11. ProgramFlowchart and PseudoCode
Notes:
1. Status check of b3 (V
Low) and b4 (Program Error) can be made after each byte/wordprogramming or after a sequence.
2. If a V
PP
Low or Program Erase is found, the StatusRegister must be cleared (CLRS instruction) before further P/E.C. operations.
24/31
M28F410
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F411 | 4 Mbit (512Kb x8, Boot Block) Flash Memory(4M位闪速存储器) |
| M28F420 | 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4Mb闪速存储器) |
| M28LV16 | 16K (2K x 8) Parallel EEPROM with Software Data Protection(16K低压并行EEPROM,软件数据保护) |
| M28LV17 | 16K (2K x 8) Parallel EEPROM with Software Data Protection(16K低压并行EEPROM,软件数据保护) |
| M28W160B | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28F411-90N1 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 DISC BY STM 10/01 TSOP-40 512KX8 90NS RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M28F420 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Megabit (x8 or x16, Block Erase) FLASH MEMORY |
| M28F512 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
| M28F512-10C1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
| M28F512-12B1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。