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参数资料
| 型号： | M28F410 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory(4M位(512Kx8/256K x16）闪速存储器) |
| 中文描述： | 4兆位（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引导块）快闪记忆体（4分位（512Kx8/256K × 16）闪速存储器） |
| 文件页数： | 25/31页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | M28F410 |
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Write
20h
Command
AI01279
Start
Write Block
Address
& D0h Command
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
YES
NO
b4, b5 = 1
End
VPP
Low
Error (1)
Command
Sequence Error
EE
instruction:
– write20h
command
– writeBlock
Address
(A12-A17) & command
D0h
(memory enters read status
state after the EE instruction)
do:
– read status
register
(E or G must be
toggled)
if EE instruction given
execute
suspend erase loop
while b7 = 1
If b3 = 0, VPPlow
error:
– errorhandler
If b4, b5 = 0, Command Sequence
error:
– errorhandler
YES
NO
b5 = 0
Erase
Error (1)
YES
NO
Suspend
Suspend
Loop
If b5 = 0, Erase
error:
– errorhandler
Figure 12. EraseFlowchartand Pseudo Code
Note:
1. If V
PP
Low or Erase Error is found, the StatusRegister must be cleared (CLRS instruction) before furtherP/E.C. operations.
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M28F410
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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