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参数资料
| 型号： | M28F220 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Flash Memory(2Mb闪速存储器) |
| 中文描述： | 2Mbit的（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）快闪记忆体（处理器闪速存储器） |
| 文件页数： | 1/32页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | M28F220 |
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M28F220
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Flash Memory
August 1998
1/32
AI01297B
17
A0-A16
W
DQ0-DQ14
VPP
VCC
M28F220
G
E
VSS
15
RP
BYTE
DQ15A–1
WP
Figure 1. LogicDiagram
5V
±
10% SUPPLYVOLTAGE
12V
±
5% or
±
10% PROGRAMMING
VOLTAGE
FASTACCESS TIME: 60ns
PROGRAM/ERASECONTROLLER (P/E.C.)
AUTOMATICSTATIC MODE
MEMORYERASE in BLOCKS
– BootBlock (Bottom location) with hardware
write and erase protection
– Parameterand Main Blocks
100,000 PROGRAM/ERASECYCLES
LOW POWER CONSUMPTION
20 YEARSDATARETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– ManufacturerCode: 0020h
– Device Code: 00E6h
A0-A16
Address Inputs
DQ0-DQ7
Data Input / Outputs
DQ8-DQ14
Data Input / Outputs
DQ15A–1
Data Input/Output or Address Input
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
BYTE
Byte/Word Organization
WP
Write Protect
RP
Reset/Power Down/Boot Block
Unlock
V
PP
Program & Erase SupplyVoltage
V
CC
Supply Voltage
V
SS
Ground
Table1. SignalNames
44
1
SO44 (M)
TSOP48 (N)
12 x 20mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M28F256-10C1TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory |
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