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参数资料
| 型号： | M28F220 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Flash Memory(2Mb闪速存储器) |
| 中文描述： | 2Mbit的（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）快闪记忆体（处理器闪速存储器） |
| 文件页数： | 24/32页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | M28F220 |
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Write
40h
Command
AI01278
Start
Write
Address
& Data
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
YES
NO
b4 = 0
End
VPP
Low
Error (1, 2)
Program
Error (1, 2)
PG
instruction:
– write40h
command
– writeAddress &
Data
(memory enters read status
state after the PG instruction)
do:
– read status
register
(E or G must be toggled)
while b7 = 1
If b3 = 0, VPPlow
error:
– errorhandler
If b4 = 0, Program
error:
– errorhandler
Figure 11. ProgramFlowchart and PseudoCode
Notes:
1. Status check of b3 (V
Low) and b4 (Program Error) can be made after each byte/wordprogramming or after a sequence.
2. If a V
PP
Low or Program Erase is found, the StatusRegister must be cleared (CLRS instruction) before further P/E.C. operations.
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M28F220
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PDF描述 |
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