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参数资料
| 型号： | M28F220 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Flash Memory(2Mb闪速存储器) |
| 中文描述： | 2Mbit的（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）快闪记忆体（处理器闪速存储器） |
| 文件页数： | 21/32页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | M28F220 |
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Symbol
Alt
Parameter
M28F220
Unit
-90
-120
Standard
Interface
Standard
Interface
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
90
120
ns
t
PHEL
t
PS
Power Down High to Chip Enable Low
210
210
ns
t
WLEL
t
CS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
65
70
ns
t
DVEH
t
DS
Data Validto Chip Enable High
40
40
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Data Transition
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to WriteEnable High
10
10
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip
Enable Low
40
50
ns
t
AVEH
t
AS
Address Valid to Chip Enable High
60
60
ns
t
PHHEH
(4)
t
PHS
Power Down V
HH
(Boot Block Unlock) to
Chip Enable High
90
100
ns
t
WPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
90
100
ns
t
VPHEH
(4)
t
VPS
V
PP
High to Chip Enable High
90
100
ns
t
EHAX
t
AH
Chip Enable High to Address Transition
0
0
ns
t
EHQV1(2, 3)
Chip Enable High to Output Valid
(Word/Byte Program)
7
7
μ
s
t
EHQV2
(2, 3)
Chip Enable High to Output Valid(Boot
Block Erase)
0.4
0.4
sec
t
EHQV3(2)
Chip Enable High to Output Valid
(Parameter Block Erase)
0.4
0.4
sec
t
EHQV4(2)
Chip Enable High to Output Valid(Main
Block Erase)
0.7
0.7
sec
t
QVPH
(4)
t
PHH
Output Valid to Reset/Power Down High
0
0
ns
t
QVVPL(4)
t
VPH
Output Valid to V
PP
Low
0
0
ns
t
PHBR
(4)
Reset/Power Down High to Boot Block
Relock
200
200
ns
Notes:
1. See AC Testing Measurement conditions for timing measurements.
2. Time is measured to Status Register Read giving bit b7 = ’1’.
3. For Program or Erase of the Boot Block RP must be at V
HH
, or WP at V
IH
.
4. Sampled only,not 100% tested.
Table15B. Write AC Characteristics,Chip EnableControlled
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C or–40 to 125
°
C; V
CC
= 5V
±
10% or 5V
±
5%; V
PP
= 12V
±
5% or 12V
±
10%)
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M28F220
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PDF描述 |
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