- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录180125 > M28W800BB100ZB1 (STMICROELECTRONICS) 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA46 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M28W800BB100ZB1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA46 |
| 封装： | 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-46 |
| 文件页数： | 28/42页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | M28W800BB100ZB1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页
M28W800BT, M28W800BB
34/42
Table 26. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0014h
Device Size = 2n in number of bytes
1MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async
2Ah
2Bh
0002h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2n
4
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
2
M28
W80
0BT
2Dh
2Eh
000Eh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 000Eh+1
15
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8KByte
M28
W80
0BB
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8KByte
31h
32h
000Eh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 000Eh+1
15
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64KByte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F102B-90N1TR | 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| M29F200BB70MT3 | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29F400BT45M1E | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 45 ns, PDSO44 |
| M29F400FB55M3F2 | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44 |
| M29F400FB5AN6F2 | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W800BB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800BB90ZB6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800BT100N6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。