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参数资料
| 型号： | M30201F4T-FP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 10 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP56 |
| 封装： | PLASTIC, QFP-56 |
| 文件页数： | 31/158页 |
| 文件大小： | 1633K |
| 代理商： | M30201F4T-FP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页
126
Description
Under
development
Mitsubishi microcomputers
M30201 Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Preliminary
Flash Memory
The M30201 (flash memory version) contains the NOR type of flash memory that requires a high-voltage
VPP power supply for program/erase operations, in addition to the VCC power supply for device operation.
For this flash memory, three flash memory modes are available in which to read, program, and erase:
parallel I/O and standard serial I/O modes in which the flash memory can be manipulated using a program-
mer and a CPU rewrite mode in which the flash memory can be manipulated by the Central Processing Unit
(CPU). Each mode is detailed in the pages to follow.
In addition to the ordinary user ROM area to store a microcomputer operation control program, the flash
memory has a boot ROM area that is used to store a program to control rewriting in CPU rewrite and
standard serial I/O modes. This boot ROM area has had a standard serial I/O mode control program stored
in it when shipped from the factory. However, the user can write a rewrite control program in this area that
suits the user’s application system. This boot ROM area can be rewritten in only parallel I/O mode.
Figure AA-3. Block diagram of flash memory version
SFR
RAM
SFR
RAM
SFR
RAM
0000016
0040016
YYYYY16
DF00016
DFDFF16
XXXXX16
FFFFF16
M30201F6
XXXXX16
F400016
YYYYY16
00BFF16
Microcomputer mode
Parallel I/O mode
CPU rewrite mode
Standard serial I/O mode
Boot ROM
area
(3.5K bytes)
Boot ROM
area
(3.5K bytes)
User ROM
area
User ROM
area
User ROM
area
Collective
erasable/
programmable
area
Type No.
Note 1: In CPU rewrite and standard serial I/O modes, the user ROM is the only erasable/programmable area.
Note 2: In parallel I/O mode, the area to be erased/programmed can be selected by the address A17 input.
The user ROM area is selected when this address input is high and the boot ROM area is selected
when this address input is low.
Collective
erasable/
programmable
area
Collective
erasable/
programmable
area
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PDF描述 |
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