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参数资料
| 型号： | MAX1997ETJ+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 10/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR SUPPLY TFT LCD 32TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，TFT LCD |
| 输入电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 输出数： | 5 |
| 输出电压： | 2.7 V ~ 13 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-TQFN-EP（5x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Quintuple/Triple-Output TFT LCD Power Supplies
with Fault Protection and VCOM Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
(Circuit of Figure 1, V IN = 3.3V, V MAIN = 9V, V G_ON = 20V, V G_OFF = -7V, V LOGIC = 2.5V, V GAMMA = 8.6V, T A = +25 ° C,
unless otherwise noted.)
OVERCURRENT PROTECTION RESPONSE
TO OVERLOAD DURING STARTUP
OVERCURRENT PROTECTION RESPONSE
TO OVERLOAD DURING NORMAL OPERATION
REFERENCE VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
A
MAX1997 toc20
10V
5V
0
A
MAX1997 toc21
10V
5V
0
1.250
1.249
5V
5V
B
0
B
0
1.248
20V
20V
C
10V
C
10V
1.247
0
0
D
A: V MAIN , 5V/div
20ms/div
-10V
D
A: V MAIN , 5V/div
20ms/div
-10V
1.246
1
10
LOAD CURRENT ( μ A)
100
B: V GATE , 5V/div
C: V G_ON , 10V/div
D: V G_OFF , 10V/div
B: V GATE , 5V/div
C: V G_ON , 10V/div
D: V G_OFF , 10V/div
VCOM BUFFER TRANSCONDUCTANCE
VCOM LOAD TRANSIENT RESPONSE
LX CURRENT LIMIT vs. INPUT VOLTAGE
vs. TEMPERATURE
(CIRCUIT OF PAGE 6, NOTE 4)
2.2
10
MAX1997 toc25
1A
2.1
T A = -40 ° C
8
LARGE-SIGNAL
TRANSCONDUCTANCE
A
0
-1A
2.0
1.9
T A = +25 ° C
6
4
B
3.8V
3.6V
3.4V
1.8
T A = +85 ° C
2
SMALL-SIGNAL
TRANSCONDUCTANCE
C
20V
0
1.7
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
4 μ s/div
-20V
INPUT VOLTAGE (V)
TEMPERATURE ( ° C)
A: LOAD CURRENT, 1A/div
B: V OUTB = 3.6V, 200mV/div, AC-COUPLED
C: V X , 20V/div
Pin Description
PIN
MAX1997 MAX1998
NAME
FUNCTION
1
2
—
1
TGNDB
PGND
Internal Connection. Connect this pin to ground. Do not leave this pin floating.
Power Ground. PGND is the source of the N-channel power MOSFET. Connect PGND to the
star ground at the device ’ s backside pad.
Logic Linear-Regulator (REG 1) Base Drive. Open drain of an internal N-channel MOSFET.
3
—
DRV1
Connect DRV1 to the base of an external PNP linear regulator pass transistor. (See the Pass
Transistor Selection section).
10
______________________________________________________________________________________
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MAX19985AETX+ | 功能描述:上下转换器 High-Gain 700MHz to 1GHz Downconv RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Down Converters 射频:52 MHz to 78 MHz 中频:300 MHz LO频率: 功率增益: P1dB: 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V 工作电源电流:120 mA 最大功率耗散:1 W 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFP-128 |
| MAX19985AETX+T | 功能描述:上下转换器 High-Gain 700MHz to 1GHz Downconv RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Down Converters 射频:52 MHz to 78 MHz 中频:300 MHz LO频率: 功率增益: P1dB: 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V 工作电源电流:120 mA 最大功率耗散:1 W 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFP-128 |
| MAX19985ETX+ | 功能描述:上下转换器 Dual, SiGe, .7-1GHz Downconversion Mixer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Down Converters 射频:52 MHz to 78 MHz 中频:300 MHz LO频率: 功率增益: P1dB: 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V 工作电源电流:120 mA 最大功率耗散:1 W 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFP-128 |
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