参数资料
型号: MAX5064BATC+T
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 6/20页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER 12-TQFN
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 2,500
配置: 半桥
输入类型: 差分
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 125V
电源电压: 8 V ~ 12.6 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 12-WQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 12-TQFN-EP(4x4)
包装: 带卷 (TR)
125V/2A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical values are at V DD = V BST = +12V and T A = +25°C, unless otherwise specified.)
V DD AND BST OPERATING SUPPLY
CURRENT vs. FREQUENCY
DH OR DL OUTPUT LOW VOLTAGE
vs. TEMPERATURE
10
9
C L = 0
0.34
0.32
SINKING 100mA
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
FREQUENCY (kHz)
PEAK DH AND DL
SOURCE/SINK CURRENT
MAX5062/3/4 toc10
0.30
0.28
0.26
0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
120
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
TEMPERATURE ( ° C)
DH OR DL RISE TIME
vs. TEMPERATURE (C L = 10nF)
C L = 100nF
108
96
V DD = V BST = 8V
5V/div
2A/div
1 μ s/div
DH OR DL
SINK AND SOURCE
CURRENT
84
72
60
48
36
24
12
0
V DD = V BST = 12V
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
TEMPERATURE ( ° C)
120
110
DH OR DL FALL TIME
vs. TEMPERATURE (C LOAD = 10nF)
60
55
DH OR DL RISE PROPAGATION DELAY
vs. TEMPERATURE
100
90
80
70
60
50
V DD = V BST = 8V
V DD = V BST = 12V
50
45
40
35
30
25
DH
DL
40
30
20
10
0
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
TEMPERATURE ( ° C)
20
15
10
5
0
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
TEMPERATURE ( ° C)
6
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MAX5065EAI+ 功能描述:电流型 PWM 控制器 Dual-Phase .6-3.3V Parallelable Average RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14
MAX5065EAI+T 功能描述:电流型 PWM 控制器 Dual-Phase .6-3.3V Parallelable Average RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14