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参数资料
| 型号： | MB85502-012 |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 8M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 8M×36位 同步动态RAM) |
| 中文描述： | 8M X 36 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 13 ns, PZMA72 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | MB85502-012 |
2
MB85502-012/MB85502-015
I
PRODUCT LINE & FEATURES
Parameter
MB85502-012
84 MHz max.
12 ns min.
71 ns max.
36 ns max.
13 ns max.
MB85502-015
67 MHz max.
15 ns min.
79 ns max.
39 ns max.
14 ns max.
Clock Frequency
Burst Mode Cycle Time
RAS Access Time
CAS Access Time
Output Valid From Clock (CL = 3)
Operating Current
(Burst Mode)
Power Down Mode Current
6199 mW max.
5641 mW max.
436 mW max. (ADD=L)
8M words
×
36 bits (MB81116421
×
18)
72 pin socket type (pin pitch 1.27 mm)
84 MHz (Max.) data transfer
+3.3 V
±
0.3 V supply voltage
4096 refresh cycles every 65.6 ms
Dual bank operation
LVTTL compatible I/O
Programmable burst type
Programmable burst length
Auto and Self-refresh
CKE power down mode
Output Enable and Input Data Mask
MSS-72P-P70
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
DQ
0
DQ
2
DQ
4
DQ
6
V
CC
DQ
9
DQ
11
DQ
13
DQ
14
NC
CS
1
A
2
V
CC
A
10
NC
RAS
WE
A
5
A
7
A
9
V
SS
CKE
1
CLK
DQM
0
DQ
16
DQ
18
DQ
20
V
SS
DQ
23
DQ
25
DQ
26
DQ
28
DQ
30
DQ
32
DQ
34
V
SS
V
SS
DQ
1
DQ
3
DQ
5
DQ
7
DQ
8
DQ
10
DQ
12
V
SS
DQ
15
CS
0
A
3
A
1
A
0
A
11
V
SS
CAS
A
4
A
6
A
8
NC
CKE
0
CLK-RTN
V
CC
DQM
1
DQ
17
DQ
19
DQ
21
DQ
22
DQ
24
V
CC
DQ
27
DQ
29
DQ
31
DQ
33
DQ
35
I
PIN ASSIGNMENT
I
PACKAGE
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
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53
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59
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85502-015 | CMOS 8M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 8M×36位 同步动态RAM) |
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| MB85R1002PFTN | Memory FRAM |
| MB86290A | Graphics Controller Hardware Specifications |
| MB86291A | Graphics Display Controller |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） 存储容量:4Mb （512K x 8） 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:17ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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