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参数资料
| 型号： | MBL800E33C |
| 厂商： | HITACHI METALS LTD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 800 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-9 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | MBL800E33C |
IGBT MODULE
MBL800E33C
DEPENDENCE OF RG
Spec.No.IGBT-SP-06011 R1 (P4/5)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Gate Resistance RG (
5
)
T
ur
n-
on
L
os
s
E
on
(J
/p
ul
se
)
Eon(Full)
6
Conditions
7
Tc=125
8
Vcc=1650V
IC=800A
L=120nH
VG=±15V
Eon(10%)
Turn-on Loss vs. Gate Resistance
TYPICAL
IC
VGE
10%
VCE
0
t1 t3 t4 t2
Eon(10%)=
9
IC
@
VCE dt
Eon(full)=
A
IC
@
VCE dt
t4
t2
t3
t1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Gate Resistance RG (
B
)
T
ur
n-
of
fL
os
s
E
of
f(
J/
pu
ls
e)
Eoff(Full)
Eoff(10%)
C
Conditions
D
Tc=125
E
Vcc=1650V
IC=800A
L=120nH
VG=±15V
Turn-off Loss vs. Gate Resistance
TYPICAL
Eoff(10%)=
F
IC
G
VCE dt
Eoff(full)=
F
IC
G
VCE dt
t8
t6
t7
t5
VGE
VCE
IC
10%
t8
t7
t
0
t5
t6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Gate Resistance RG (
H
)
R
ev
er
se
R
ec
ov
er
y
L
os
s
E
rr
(J
/p
ul
se
)
Err(Full)
Err(10%)
I
Conditions
P
Tc=125
Q
Vcc=1650V
IC=800A
L=120nH
VG=±15V
Recovery Loss vs. Gate Resistance
TYPICAL
Err(10%)=
R
IC
S
VCE dt
Err(full)=
T
IC
S
VCE dt
t12
t10
t11
t9
VCE
0.1VCE
0.1IF
IRM
IC
t10
t11
t
0
t12
t9
IF
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