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参数资料
| 型号： | MC56F8155VFGE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 39/172页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP 16BIT 40MHZ 128-LQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 系列： | 56F8xxx |
| 核心处理器： | 56800E |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | EBI/EMI，SCI，SPI |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 49 |
| 程序存储器容量： | 256KB（128K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 8K x 16 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.25 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 16x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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General Characteristics
56F8355 Technical Data, Rev. 17
Freescale Semiconductor
133
Preliminary
1. Theta-JA determined on 2s2p test boards is frequently lower than would be observed in an application. Determined on 2s2p ther-
mal test board.
2. Junction to ambient thermal resistance, Theta-JA (RθJA) was simulated to be equivalent to the JEDEC specification JESD51-2
in a horizontal configuration in natural convection. Theta-JA was also simulated on a thermal test board with two internal planes
(2s2p where “s” is the number of signal layers and “p” is the number of planes) per JESD51-6 and JESD51-7. The correct name
for Theta-JA for forced convection or with the non-single layer boards is Theta-JMA.
3. Junction to case thermal resistance, Theta-JC (RθJC ), was simulated to be equivalent to the measured values using the cold
plate technique with the cold plate temperature used as the "case" temperature. The basic cold plate measurement technique is
described by MIL-STD 883D, Method 1012.1. This is the correct thermal metric to use to calculate thermal performance when
the package is being used with a heat sink.
4. Thermal Characterization Parameter, Psi-JT (
ΨJT ), is the "resistance" from junction to reference point thermocouple on top cen-
ter of case as defined in JESD51-2.
ΨJT is a useful value to use to estimate junction temperature in steady state customer envi-
ronments.
5. Junction temperature is a function of on-chip power dissipation, package thermal resistance, mounting site (board) temperature,
ambient temperature, air flow, power dissipation of other components on the board, and board thermal resistance.
6. See Part 12.1 for more details on thermal design considerations.
7. TJ = Junction temperature
Table 10-2 56F8355/56F8155 ElectroStatic Discharge (ESD) Protection
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
ESD for Human Body Model (HBM)
2000
—
V
ESD for Machine Model (MM)
200
—
V
ESD for Charge Device Model (CDM)
500
—
V
Table 10-3 Thermal Characteristics6
Characteristic
Comments
Symbol
Value
Unit
Notes
128-pin LQFP
Junction to ambient
Natural convection
RθJA
50.8
°C/W
2
Junction to ambient (@1m/sec)
RθJMA
46.5
°C/W
2
Junction to ambient
Natural convection
Four layer board (2s2p)
RθJMA
(2s2p)
43.9
°C/W
1,2
Junction to ambient (@1m/sec)
Four layer board (2s2p)
RθJMA
41.7
°C/W
1,2
Junction to case
RθJC
13.9
°C/W
3
Junction to center of case
ΨJT
1.2
°C/W
4, 5
I/O pin power dissipation
P I/O
User-determined
W
Power dissipation
P D
P D = (IDD x VDD + P I/O)W
Maximum allowed PD
PDMAX
(TJ - TA) / R
θJA7
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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