参数资料
型号: MCH6445-TL-E
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 78 毫欧 @ 2A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 505pF @ 20V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 6-MCPH
包装: 带卷 (TR)
MCH6445
4.5
4.0
ID -- VDS
6.0
5.5
VDS=10V
ID -- VGS
5.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
3.0V
VGS=2.5V
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
170
160
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
0.9 1.0
IT13789
Ta=25°C
0
160
150
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
3.5 4.0
IT13790
150
140
140
130
ID=1A
2A
130
120
=1
V, D
=4
=1
V GS
V, D
=2
4.5
.0V
=1
120
110
100
90
80
70
110
100
90
80
70
60
I
.0 A
VG 0
V GS
I
A
S= , ID
A
60
50
40
50
40
30
30
0
2
4
6
8
10
12
1 4
16
20
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
7
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
y fs -- ID
VDS=10V
IT13791
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13792
VGS=0V
3
2
3
2
5 °
° C
1.0
7
Ta
=
--2
C
75
25
° C
1.0
7
5
3
5
3
2
0.1
2
0.1
7
5
3
2
7
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT13793
VDD=30V
VGS=10V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss - - VDS
Ciss
IT13794
f=1MHz
3
2
tf
3
2
100
10
7
5
3
td(on)
tr
7
5
3
2
Coss
Crss
2
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
10
20
30
40
50
60
Drain Current, ID -- A
IT13795
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13796
No. A1566-3/5
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PDF描述
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