- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录476 > MCH6602-TL-E (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MCH6602-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6602
0.16
ID -- VDS
0.30
ID -- VGS
VDS=10 V
0.14
3.5V
2.0
V
0.25
0.12
4.0V
0.20
0.10
0.08
0.15
VGS=1.5V
0.06
0.10
0.04
0.05
0.02
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT00029
10
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00030
9
Ta=25 ° C
VGS=4V
7
8
7
6
5
Ta=75°C
5
4
ID=40mA
80mA
3
25 ° C
--25°C
3
2
1
0
2
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
10
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00031
100
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00032
7
VGS=2.5V
7
5
VGS=1.5V
5
Ta=75°C
3
2
25 ° C
3
--25 ° C
10
Ta=75°C
7
2
1.0
5
3
2
1.0
--25°C
25 ° C
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
0.001
2
3
5
7
0.01
2
3
5
| y fs | -- ID
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
IT00033
1.0
7
Drain Current, ID -- A
IT00034
VDS=10V
6
5
25°C
.5V
GS
mA
40 4.0V
I D= S=
A, VG
I D=
--25 °
5
4
3
,V
80m
=2
3
2
0.1
7
Ta=
C
75 ° C
5
2
3
1
0
2
0.01
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00035
Drain Current, ID -- A
IT00036
No.6445-3/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6604-TL-E | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 |
| MCH6613-TL-E | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 |
| MCH6660-TL-H | MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6 |
| MCH6662-TL-H | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
| MCH6663-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCH6603 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| MCH6603_06 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6603_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6603-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6604 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。