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参数资料
| 型号： | MCH6602-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6602
1.0
7
5
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
SW Time -- ID
VDD=15V
VGS=4V
3
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
2
100
7
5
3
2
10
td (off)
tf
tr
td(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
2
3
5
7
0.1
2
100
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00037
f=1MHz
10
9
VDS=10V
ID=150mA
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT00038
8
3
7
2
6
10
7
5
Ciss
Coss
5
4
3
3
2
1.0
Crss
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT00039
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00040
3
2
IDP=1.4A(PW ≤ 10 μ s)
ASO
1.0
PD -- Ta
1m
ID=0.35A 10m
1 0 0
ms
o p e
rat
ion
mi
cs
( 0
? 0
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
s
s
DC
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 ? 0.8mm) 1unit
0.8
0.6
0.4
0.2
0
W
he
nm
ou
nte
do
nc
e a r
ub
s r t
a e t
9
0m
m 2
.8m
m)
1u
nit
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT01117
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT01118
No.6445-4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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