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参数资料
| 型号： | MCH6663-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A，1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 188 毫欧 @ 900mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 88pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6663
Switching Time Test Circuit
[N-channel]
[P-channel]
10V
0V
VIN
VIN
VDD=15V
ID=0.9A
RL=16.7 Ω
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --15V
ID= --0.8A
RL=18.75 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
G
P.G
50 Ω
S
MCH6663
P.G
50 Ω
S
MCH6663
Ordering Information
Device
MCH6663-TL-H
Package
MCPH6
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb-Free and Halogen Free
1.8
1.6
ID -- VDS
[Nch]
Ta=25°C
2.0
1.8
VDS=10V
ID -- VGS
[Nch]
1.4
1.2
1.0
1.6
1.4
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
3.5V
3.0V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
VGS=2.5V
0.8 0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
600
550
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16666
[Nch]
Ta=25°C
600
550
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13108
[Nch]
500
500
450
400
ID=0.5A
0.9A
450
400
, I D=
=0.5
=4.5
0.0V, I D
350
300
250
200
150
100
50
350
300
250
200
150
100
50
0.5A
= 4.0V
VGS A
V, I D
V GS =0.9A
V GS=1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
IT16667
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16668
No.8758-3/8
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