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参数资料
| 型号： | MCH6663-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A，1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 188 毫欧 @ 900mA，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 88pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6663
3
2
| y fs | -- ID
[Nch]
VDS=10V
3
2
IS -- VSD
[Nch]
VGS=0V
1.0
7
5
1.0
7
5
3
-25
3
2
0.1
7
5
Ta
=-
° C
2 5 ° C
75
° C
2
0.1
7
5
3
2
3
2
0.01
0.01
7
5
3
2
7
0.001
2
3
5 7 0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13111
[Nch]
VDD=15V
VGS=10V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13112
[Nch]
f=1MHz
2
10
7
td(off)
100
7
5
Ciss
5
3
2
td(on)
tr
tf
3
2
10
Coss
Crss
7
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
5
0
5
10
15
20
25
30
10
10
9
8
VDS=15V
ID=1.8A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT13113
[Nch]
10
7
5
3
2
Drain to Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP=7.2A (PW≤10μs)
0 μ
ID=1.8A
s
IT13114
[Nch]
7
6
5
1.0
7
5
3
4
3
2
1
2
0.1
7
5
3
2
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
0.01
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm) 1unit
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 2 3
5 7 100
--1.6
--1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC
ID -- VDS
IT16669
[Pch]
Ta=25°C
--2.0
--1.8
Drain to Source Voltage, VDS -- V
ID -- VGS
VDS= --10V
IT16670
[Pch]
--1.6
--1.2
--1.4
--1.0
--
3.5V
--1.2
--0.8
--0.6
--1.0
--0.8
--0.4
--0.2
--3.0V
VGS= --2.5V
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16626
Gate to Source Voltage, VGS -- V
IT16627
No.8758-4/8
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