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参数资料
| 型号： | MCP14E3-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 10/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 46ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
Typical Performance Curves (Continued)
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
2.1
1.9
V DD = 18V
0.7
0.6
V DD = 12V
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
V HI
V LO
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
FIGURE 2-19:
Temperature.
2.0
Input Threshold vs.
FIGURE 2-22:
Temperature.
1E-06
Enable Hysteresis vs.
1.8
1.6
1.4
V HI
V LO
1E-07
1E-08
1.2
1.0
1E-09
4
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-20:
Voltage.
Input Threshold vs. Supply
Note:
The values on this graph represent the
loss seen by both drivers in a package
during one complete cycle.
For a single driver, divide the stated
3.1
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
V EN_H
V EN_L
V DD = 12V
value by 2.
For a signal transition of a single driver,
divide the state value by 4.
FIGURE 2-23: Crossover Energy vs.
Supply Voltage.
-40 -25 -10
FIGURE 2-21:
Temperature.
DS22062B-page 10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
Enable Threshold vs.
? 2008 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP1406-E/P | IC MOSFET DVR 6A 8DIP |
| GCC06DREI-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
| T95X685M020LZSL | CAP TANT 6.8UF 20V 20% 2910 |
| RB-3.312S/HP | CONV DC/DC 1W 3.3VIN 12VOUT |
| RBC05DRTF | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E3EP | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
| MCP14E3ESN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
| MCP14E3T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E3T-E/SL | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E3T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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