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参数资料
| 型号： | MCP14E3-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 46ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
4.6.2
QUIESCENT POWER DISSIPATION
The power dissipation associated with the quiescent
current draw of the MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
depends upon the state of the input and enable pins.
Refer to the DC Characteristic table for the quiescent
current draw for specific combinations of input and
enable pin states. The quiescent power dissipation is:
EQUATION 4-3:
P Q = ( I QH × D + I QL × ( 1 – D ) ) × V DD
Where:
I QH
D
I QL
V DD
=
=
=
=
Quiescent current in the high
state
Duty cycle
Quiescent current in the low
state
MOSFET driver supply voltage
4.6.3
OPERATING POWER DISSIPATION
The operating power dissipation occurs each time the
MOSFET driver output transitions because for a very
short period of time both MOSFETs in the output stage
are on simultaneously. This cross-conduction current
leads to a power dissipation describes as:
EQUATION 4-4:
P CC = CC × f × V DD
Where:
CC
f
V DD
=
=
=
Cross-conduction constant
(A*sec)
Switching frequency
MOSFET driver supply voltage
DS22062B-page 14
? 2008 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP1406-E/P | IC MOSFET DVR 6A 8DIP |
| GCC06DREI-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
| T95X685M020LZSL | CAP TANT 6.8UF 20V 20% 2910 |
| RB-3.312S/HP | CONV DC/DC 1W 3.3VIN 12VOUT |
| RBC05DRTF | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E3EP | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
| MCP14E3ESN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
| MCP14E3T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E3T-E/SL | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E3T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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