参数资料
| 型号： | MCP1725T-1802E/MC |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 22/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 1.8V .5A 8DFN |
| 产品培训模块： | High Current LDOs |
| 标准包装： | 3,300 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 1.8V |
| 输入电压： | 2.3 V ~ 6 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.21V @ 500mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 500mA（最小） |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页当前第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页
MCP1725
C = I ? -------
5.3.2 JUNCTION TEMPERATURE
ESTIMATE
To estimate the internal junction temperature, the
calculated temperature rise is added to the ambient or
offset temperature. For this example, the worst-case
5.4
Where:
C DELAY Calculations (typical)
Δ T
Δ V
junction temperature is estimated below:
T J = T JRISE + T A(MAX)
T J = 38.8°C + 60.0°C
T J = 98.8°C
As you can see from the result, this application will be
C
I
Δ T
Δ V
=
=
=
=
C DELAY Capacitor
C DELAY charging current,
140 nA typical.
time delay
C DELAY threshold voltage, 0.42V
typical
C = I ? ------- = ---------------------------------- = 333.3 × 10
operating near around a junction temperature of
100°C. The PCB layout for this application is very
important as it has a significant impact on the junction-
to-ambient thermal resistance (R θ JA ) of the 2x3 DFN
package, which is very important in this application.
Δ T ( 140nA ? Δ T ) – 09
Δ V 0.42V
For a delay of 300ms,
C = 333.3E-09 *.300
? Δ T
5.3.3
MAXIMUM PACKAGE POWER
C = 100E-09 μF (0.1 μF)
DISSIPATION AT 60°C AMBIENT
TEMPERATURE
2x3 DFN (76°C/W R θ JA ):
P D(MAX)
P D(MAX)
=
=
(125°C – 60°C) / 76°C/W
0.855W
SOIC8 (163°C/Watt R θ JA ):
P D(MAX)
P D(MAX)
=
=
(125°C – 60°C)/ 163°C/W
0.399W
From this table, you can see the difference in maximum
allowable power dissipation between the 2x3 DFN
package and the 8-pin SOIC package. This difference
is due to the exposed metal tab on the bottom of the
DFN package. The exposed tab of the DFN package
provides a very good thermal path from the die of the
LDO to the PCB. The PCB then acts like a heatsink,
providing more area to distribute the heat generated by
the LDO.
DS22026B-page 22
? 2007 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC08DRYH-S734 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| RBC65DRTS-S13 | CONN EDGECARD 130PS .100 EXTEND |
| FMM12DSEH-S243 | CONN EDGECARD 24POS .156 EYELET |
| MCP1725T-1202E/MC | IC REG LDO 1.2V .5A 8DFN |
| RCC43DRTF-S13 | CONN EDGECARD 86POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP1725T-2502E/MC | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 500mA CMOS LDO Vout=2.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1725T-2502E/SN | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 500mA CMOS LDO Vout=2.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1725T-3002E/MC | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 500mA CMOS LDO Vout=3.0V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1725T-3002E/SN | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 500mA CMOS LDO Vout=3.0V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1725T-3302E/MC | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 500mA CMOS LDO Vout=3.3V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。