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参数资料
| 型号： | MCP4152T-103E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POT DGTL SNGL 10K RHEO 8DFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2008 Microchip Technology Inc.
DS22060B-page 11
MCP413X/415X/423X/425X
1.1
SPI Mode Timing Waveforms and Requirements
FIGURE 1-1:
SPI Timing Waveform (Mode = 11).
TABLE 1-1:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 11)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK↑ input
TcsA2scH
60
—
ns
71
SCK input high time
TscH
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
↑ edge
TDIV2scH
10
—
ns
74
Hold time of SDI input from SCK
↑ edge
TscH2DIL20
—
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output hi-impedance
TcsH2DOZ
—
50
ns
80
SDO data output valid after SCK
↓ edge
TscL2DOV
—
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
83
CS Inactive (VIH) after SCK↑ edge
TscH2csI
100
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1: This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
73
74
75, 76
77
78
79
80
MSb
LSb
BIT6 - - - - - -1
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
83
84
VIH
VIL
VIHH
VIH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MCP4151T-503E/SN | IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP4152T-103I/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/ML | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
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