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参数资料
| 型号： | MCP4152T-103E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 39/59页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POT DGTL SNGL 10K RHEO 8DFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Micrel, Inc.
KSZ8051MNL/RNL
July 2010
44
M9999-070910-1.0
Absolute Maximum Ratings
(1)
Supply Voltage
(VDD_1.2) ................................................... -0.5V to +1.8V
(VDDIO, VDDA_3.3) ........................................ -0.5V to +4.0V
Input Voltage (all inputs) ............................... -0.5V to +4.0V
Output Voltage (all outputs) .......................... -0.5V to +4.0V
Lead Temperature (soldering, 10sec.)....................... 260°C
Storage Temperature (Ts) ..........................-55°C to +150°C
Operating Ratings
(2)
Supply Voltage
(VDDIO_3.3, VDDA_3.3) .......................... +3.135V to +3.465V
(VDDIO_2.5)........................................ +2.375V to +2.625V
(VDDIO_1.8)........................................ +1.710V to +1.890V
Ambient Temperature
(TA , Commercial)...................................... 0°C to +70°C
(TA , Industrial) .......................................-40°C to +85°C
Maximum Junction Temperature (TJ Max) ................. 125°C
Thermal Resistance (
θJA) .........................................34°C/W
Thermal Resistance (
θJC)...........................................6°C/W
Electrical Characteristics
(3)
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
Supply Current (VDDIO,VDDA_3.3 = 3.3V)
(4)
IDD1
10Base-T
Full-duplex traffic @ 100% utilization
39.5
mA
IDD2
100Base-TX
Full-duplex traffic @ 100% utilization
48.9
mA
IDD3
Power Saving Mode
Ethernet cable disconnected (reg. 1F.10 = 1)
30.0
mA
IDD4
Power Down Mode
Software power down (reg. 0.11 = 1)
2.0
mA
CMOS Level Inputs
VDDIO = 3.3V
2.0
V
VDDIO = 2.5V
1.8
V
VIH
Input High Voltage
VDDIO = 1.8V
1.3
V
VDDIO = 3.3V
0.8
V
VDDIO = 2.5V
0.7
V
VIL
Input Low Voltage
VDDIO = 1.8V
0.5
V
IIN
Input Current
VIN = GND ~ VDDIO
-10
10
A
CMOS Level Outputs
VDDIO = 3.3V
2.4
V
VDDIO = 2.5V
2.0
V
VOH
Output High Voltage
VDDIO = 1.8V
1.5
V
VDDIO = 3.3V
0.4
V
VDDIO = 2.5V
0.4
V
VOL
Output Low Voltage
VDDIO = 1.8V
0.3
V
|Ioz|
Output Tri-State Leakage
10
A
LED Outputs
ILED
Output Drive Current
Each LED pin (LED0, LED1)
8
mA
Strapping Pins
VDDIO = 3.3V
29
43
76
K
VDDIO = 2.5V
37
59
102
K
pu
Internal Pull-up Resistance
VDDIO = 1.8V
57
100
187
K
VDDIO = 3.3V
27
43
76
K
VDDIO = 2.5V
35
60
110
K
pd
Internal Pull-down Resistance
VDDIO = 1.8V
55
100
190
K
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参数描述 |
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