参数资料
型号: MCP6566RT-E/OT
厂商: Microchip Technology
文件页数: 18/30页
文件大小: 0K
描述: IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5
产品培训模块: MCP656x
标准包装: 1
类型: 通用
元件数: 1
输出类型: CMOS,开路漏极
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 5.5 V
电压 - 输入偏移(最小值): 10mV @ 5.5V
电流 - 输入偏压(最小值): 1pA @ 5.5V
电流 - 输出(标准): 50mA
电流 - 静态(最大值): 130µA
CMRR, PSRR(标准): 66dB CMRR,70dB PSRR
传输延迟(最大): 80ns
磁滞: 5mV
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
安装类型: 表面贴装
包装: 标准包装
产品目录页面: 681 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MCP6566RT-E/OTDKR
DS580F6
33
CS8406
Notes:
1. “D” and “E1” are reference datums and do not included mold flash or protrusions, but do include mold
mismatch and are measured at the parting line, mold flash or protrusions shall not exceed 0.20 mm per
side.
2. Dimension “b” does not include da mbar protrusion/intrusion. Allowable dambar protrusion shall be
0.13 mm total in excess of “b” dimension at maximum material condition. Dambar intrusion shall not re-
duce dimension “b” by more than 0.07 mm at least material condition.
3. These dimensions apply to the flat section of the lead between 0.10 and 0.25 mm from lead tips.
INCHES
MILLIMETERS
NOTE
DIM
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
A
--
--0.47--
--1.20
A1
0.002
0.004
0.006
0.05
0.10
0.15
A2
0.03150
0.035
0.04
0.80
0.90
1.00
b
0.00748
0.0096
0.012
0.19
0.245
0.30
2,3
D
0.378 BSC
0.382 BSC
0.386 BSC
9.60 BSC
9.70 BSC
9.80 BSC
1
E
0.248
0.2519
0.256
6.30
6.40
6.50
E1
0.169
0.1732
0.177
4.30
4.40
4.50
1
e
--
0.026 BSC
--
0.65 BSC
--
L
0.020
0.024
0.029
0.50
0.60
0.75
4°8°
0°4°8°
JEDEC #: MO-153
Controlling Dimension is Millimeters.
28L TSSOP (4.4 mm BODY) PACKAGE DRAWING
E
N
1 23
e
b2
A1
A2
A
D
SEATING
PLANE
E11
L
SIDE VIEW
END VIEW
TOP VIEW
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