参数资料
型号: MCP659T-E/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 13/66页
文件大小: 0K
描述: IC OP AMP 50MHZ RRIO 16QFN
标准包装: 3,300
系列: mCal 技术
放大器类型: 通用
电路数: 4
输出类型: 满摆幅
转换速率: 30 V/µs
增益带宽积: 50MHz
电流 - 输入偏压: 6pA
电压 - 输入偏移: 200µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(4x4)
包装: 带卷 (TR)
MCP651/1S/2/3/4/5/9
DS22146C-page 20
2009-2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =1 kto VL, CL = 20 pF, and CAL/CS =VSS.
FIGURE 2-50:
Quiescent Current in
Shutdown vs. Power Supply Voltage.
FIGURE 2-51:
Output Leakage Current vs.
Output Voltage.
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Power Supply Voltage (V)
N
eg
at
iv
e
Po
w
er
Su
ppl
y
Cu
rr
en
t;
I
SS
(A
)
CAL/CS = VDD
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
0.00.5 1.01.5 2.02.5 3.0 3.5 4.04.5 5.05.5 6.0
Output Voltage (V)
O
u
tput
Lea
kage
C
u
rr
ent
(A
)
+25°C
+125°C
+85°C
CAL/CS = VDD = 5.5V
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