参数资料
型号: MCP659T-E/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 3/66页
文件大小: 0K
描述: IC OP AMP 50MHZ RRIO 16QFN
标准包装: 3,300
系列: mCal 技术
放大器类型: 通用
电路数: 4
输出类型: 满摆幅
转换速率: 30 V/µs
增益带宽积: 50MHz
电流 - 输入偏压: 6pA
电压 - 输入偏移: 200µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(4x4)
包装: 带卷 (TR)
2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22146C-page 11
MCP651/1S/2/3/4/5/9
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =1 kto VL, CL = 20 pF, and CAL/CS =VSS.
FIGURE 2-13:
Input Bias and Offset
Currents vs. Common Mode Input Voltage with
TA = +85°C.
FIGURE 2-14:
Input Bias and Offset
Currents vs. Common Mode Input Voltage with
TA = +125°C.
FIGURE 2-15:
Input Bias Current vs. Input
Voltage (below VSS).
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Common Mode Input Voltage (V)
In
put
B
ias,
Off
set
C
u
rr
ent
s
(p
A
)
IB
TA = +85°C
VDD = 5.5V
IOS
-1000
-500
0
500
1000
1500
2000
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Common Mode Input Voltage (V)
Inp
u
tB
ias,
O
ff
set
C
u
rr
ent
s
(p
A
)
IB
TA = +125°C
VDD = 5.5V
IOS
1.E-12
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0
Input Voltage (V)
Inpu
t
C
u
rr
ent
Mag
n
it
ude
(A
)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
1m
100
10
1
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10n
1n
100p
10p
1p
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PDF描述
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