参数资料
型号: MCP659T-E/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 2/66页
文件大小: 0K
描述: IC OP AMP 50MHZ RRIO 16QFN
标准包装: 3,300
系列: mCal 技术
放大器类型: 通用
电路数: 4
输出类型: 满摆幅
转换速率: 30 V/µs
增益带宽积: 50MHz
电流 - 输入偏压: 6pA
电压 - 输入偏移: 200µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(4x4)
包装: 带卷 (TR)
MCP651/1S/2/3/4/5/9
DS22146C-page 10
2009-2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =1 kto VL, CL = 20 pF, and CAL/CS =VSS.
FIGURE 2-7:
High Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-8:
Input Offset Voltage vs.
Common Mode Voltage with VDD =2.5V.
FIGURE 2-9:
Input Offset Voltage vs.
Common Mode Voltage with VDD =5.5V.
FIGURE 2-10:
CMRR and PSRR vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-11:
DC Open-Loop Gain vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-12:
Input Bias and Offset
Currents vs. Ambient Temperature with
VDD =+5.5V.
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
H
ig
h
I
npu
tC
o
m
on
M
o
d
e
H
ead
ro
o
m
(V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
1 Lot
High (VDD – VCMR_H)
-1000
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
800
1000
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Input Common Mode Voltage (V)
Inp
u
tOff
set
V
o
ltag
e(
V
)
VDD = 2.5V
Representative Part
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
-1000
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
800
1000
-0
.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Input Common Mode Voltage (V)
In
put
O
ffset
V
o
lta
g
e(
V
)
VDD = 5.5V
Representative Part
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
CM
R
,PSR
R
(
d
B)
PSRR
CMRR, VDD = 5.5V
CMRR, VDD = 2.5V
95
100
105
110
115
120
125
130
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
DC
Op
en
-L
o
p
Ga
in
(
d
B)
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
1
10
100
1,000
10,000
25
45
65
85
105
125
Ambient Temperature (°C)
In
put
B
ias,
Off
set
C
u
rr
en
ts
(p
A
)
VDD = 5.5V
VCM = VCMR_H
-IOS
IB
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PDF描述
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