参数资料
| 型号： | MCP659T-E/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 66/66页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 50MHZ RRIO 16QFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | mCal 技术 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 30 V/µs |
| 增益带宽积： | 50MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 200µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22146C-page 9
MCP651/1S/2/3/4/5/9
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =1 kto VL, CL = 20 pF, and CAL/CS =VSS.
2.1
DC Signal Inputs
FIGURE 2-1:
Input Offset Voltage.
FIGURE 2-2:
Input Offset Voltage Drift.
FIGURE 2-3:
Input Offset Voltage
Repeatability (repeated calibration).
FIGURE 2-4:
Input Offset Voltage vs.
Power Supply Voltage.
FIGURE 2-5:
Input Offset Voltage vs.
Output Voltage.
FIGURE 2-6:
Low Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
-100 -80 -60 -40 -20
0
20406080 100
Input Offset Voltage (V)
P
er
cent
age
o
fO
ccur
re
nces
80 Samples
TA = +25°C
VDD = 2.5V and 5.5V
Calibrated at +25°C
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
-10 -8-6-4-2
0
2
4
6
8
10
Input Offset Voltage Drift (V/°C)
P
er
cen
tage
of
Occu
rr
enc
es
80 Samples
VDD = 2.5V and 5.5V
TA = -40°C to +125°C
Calibrated at +25°C
0%
5%
10%
15%
20%
25%
30%
35%
40%
45%
50%
55%
-100 -80 -60 -40 -20
0
20
40
60
80 100
Input Offset Voltage Repeatability (V)
P
e
rc
e
n
tag
eo
fOc
cur
ren
ces
80 Samples
TA = +25°C
VDD = 2.5V and 5.5V
Calibration
Changed
Calibration
Changed
No Change
(includes noise)
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
Inp
u
t
Off
set
V
o
lt
ag
e(
V
)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
Representative Part
Calibrated at VDD = 6.5V
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Output Voltage (V)
Inpu
tO
ffs
et
V
o
lt
age
(
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
Representative Part
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
L
o
w
I
npu
tC
o
m
o
n
M
ode
H
eadr
o
m
(
V
)
VDD = 2.5V
1 Lot
Low (VCMR_L – VSS)
VDD = 5.5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP65R41T-1202E/CHY | 功能描述:校验器 IC Single Push/Pull Comparator 1.2V Ref RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP65R41T-2402E/CHY | 功能描述:校验器 IC Single Push/Pull Comparator 2.4V Ref RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP65R46T-1202E/CHY | 功能描述:校验器 IC Single Open Drain Comparator 1.2V Ref RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP65R46T-2402E/CHY | 功能描述:校验器 IC Single Open Drain Comparator 2.4V Ref RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| MCP660-E/ML | 功能描述:运算放大器 - 运放 Triple 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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