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参数资料
| 型号： | MCZ33742SEGR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/71页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYSTEM BASIS CHIP CAN 28-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 应用： | 自动 |
| 电流 - 电源： | 42mA |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Analog Integrated Circuit Device Data
12
Freescale Semiconductor
33742
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TRACKING VOLTAGE REGULATOR (V2)(20)
V2 Output Voltage (Capacitance = 10
F Tantalum at V2)
2.0 mA
IV2 200 mA, 5.5 V < VSUP < 27 V
V2
0.99
1.0
1.01
VDD
IV2 Output Current (for Information Only)
Depending on External Ballast Transistor
IV2
200
—
mA
V2 Control Drive Current Capability(21)
Worst Case at TJ = 125 °C
IV2CTRL
0.0
—
10
mA
V2LOW Flag Threshold
V2LTH
3.75
4.0
4.25
V
LOGIC OUTPUT PIN (MISO)(22)
Low-level Output Voltage
IOUT = 1.5 mA
VOL
0.0
—
1.0
V
High-level Output Voltage
IOUT = -250 A
VOH
VDD- 0.9
—
VDD
V
Tri-stated MISO Leakage Current
0 V < VMISO < VDD
IHZ
-2.0
—
2.0
A
LOGIC INPUT PINS (MOSI, SCLK, CS)
High-level Input Voltage
VIH
0.7 VDD
—
VDD + 0.3
V
Low-level Input Voltage
VIL
-0.3
—
0.3 VDD
V
High-level Input Current on CS
VIN = 4.0 V
IIH
-100
—
-20
A
Low-level Input Current on CS
VIN = 1.0 V
IIL
-100
—
-20
A
MOSI and SCLK Input Current
0 V < VIN < VDD
IIN
-10
—
10
A
OUTPUT PIN (RST)(23)
High-level Output Current
0 V < VOUT < 0.7 VDD
IOH
-300
-250
-150
A
Low-level Output Voltage
IO = 1.5 mA, 5.5 V < VSUP < 27 V
IO = 0 mA, 1.0 V <VSUP < 5.5 V
VOL
0.0
—
0.9
V
RST Pull-down Current
V > 0.9 V
IPDW
2.3
—
5.0
mA
Notes
20.
V2 specification with external capacitor. Stability requirement: capacitance > 42
F and ESR < 1.3 (tantalum capacitor), external
resistor between base and emitter required. Measurement conditions: ballast transistor MJD32C, capacitance > 10
F tantalum, 2.2 k
resistor between base and emitter of ballast transistor.
21.
The guaranteed V2CTRL current capability is 10 mA. No active current limiting is used so the actual available current may be higher.
22.
Push-pull structure with tri-state condition (CS HIGH).
23.
Output pin only. Supply from VDD. Structure switch to ground with pull-up current source.
Table 5. Static Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions 4.75 V
V2 5.25 V, 5.5 V VSUP 18 V, and -40 C TA 125 C. Typical values
noted reflect the approximate parameter mean at TA = 25 C under nominal conditions, unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H3AKH-3418G | IDC CABLE - HSC34H/AE34G/HPK34H |
| EVAL-AD5235SDZ | BOARD EVAL FOR AD5235 |
| MCZ33742EGR2 | IC SYSTEM BASIS CHIP CAN 28-SOIC |
| ECM30DCAN | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| EVAL-ADCMP561BRQZ | BOARD EVALUATION ADCMP561BRQZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCZ33780EG | 功能描述:多路器开关 IC DBUS MASTER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 开关数量:4 开启电阻（最大值）:7 Ohms 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 传播延迟时间:0.25 ns 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V 工作电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UQFN-16 |
| MCZ33780EG | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:DUAL DBUS MASTER INTERFACE 16SOIC |
| MCZ33780EGR2 | 功能描述:多路器开关 IC DBUS MASTER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 开关数量:4 开启电阻（最大值）:7 Ohms 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 传播延迟时间:0.25 ns 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V 工作电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UQFN-16 |
| MCZ33781EK | 功能描述:输入/输出控制器接口集成电路 DBUS2 MASTER STND RoHS:否 制造商:Silicon Labs 产品: 输入/输出端数量: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-64 封装:Tray |
| MCZ33781EKR2 | 功能描述:输入/输出控制器接口集成电路 DBUS2 MASTER STND RoHS:否 制造商:Silicon Labs 产品: 输入/输出端数量: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-64 封装:Tray |
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