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参数资料
| 型号： | MCZ34701EWR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR SUPPLY 1.5A SW 32-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 应用： | 控制器，电源 QUICC? I、II |
| 输入电压： | 2.8 V ~ 6 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 7.75V，0.8 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 3. Static Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions -40°C ? T A ? 85 ? C unless otherwise noted. Input voltages VIN1 = VIN2 = 3.3V using
the typical application circuit (see Figure 33 ), unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
LINEAR REGULATOR (LDO)
LDO Feedback Voltage (16)
VIN1 = VIN2 = 2.8V to 6.0V, ILDO = 10mA to 1000mA. Includes Load
V LFB
V
Regulation Error
0.784
0.800
0.816
LDO Voltage Margining Step Size
LDO Voltage Margining Highest Positive Value
LDO Voltage Margining Lowest Negative Value
V MLDO
V MP
V MN
–
5.9
-7.9
1.0
–
–
–
7.9
-5.9
%
%
%
LDO Line Regulation (16)
REG LNVLDO
%
VIN1 = VIN2 = 2.8V to 6.0V, ILDO = 1000mA
LDO Load Regulation (16)
ILDO = 10mA to 1000mA
REG LDVLDO
-1.0
-1.0
–
–
1.0
1.0
%
LDO Ripple Rejection, Dropout Voltage
V LDO_RR
dB
VDO = 1.0V, VRIPPLE = +1.0V p-p
–
40
–
Sinusoidal, f = 300kHz, ILDO = 500mA (15)
LDO Maximum Dropout Voltage (VIN - VLDO), using IRL2703 (16)
V DO
mV
VLDO = 2.5V, ILDO = 1000mA
–
50
75
LDO Current Sense Comparator Threshold Voltage (VCS - VLDO)
LDO Pin Input Current, VLDO = 5.25V
LDO Feedback Input Current (LFB Pin), VLFB = 0.8V
LDO Drive Output Current (LDRV Pin), VLDRV = 0V
V CSTH
I LDO
I LFB
I LDRV
35
1.0
-1.0
-5.0
50
1.9
–
-3.3
65
4.0
1.0
-2.0
mV
mA
? A
mA
CS Pin Input Leakage Current
I CSLK
? A
VCS = 5.25V
LDO Pull-down MOSFET Q4 Current Limit
T A = 25°C, VBST = 8.0V (LDO Pin)
LDO Pull-down MOSFET Q4 RDS(ON)
ID = 1.0A, VBST = 8.0V
I LIMQ4
R DS(ON)Q4
50
0.75
–
–
–
–
200
2.0
1.9
A
?
LDO Recommended Output Capacitance
LDO Recommended Output Capacitor ESR
Thermal Shutdown (LDO Pull-down MOSFET Q4) (15)
Thermal Shutdown Hysteresis (15)
C LDO
R LDO
T SD
T SDHYS
–
–
150
–
10
5.0
170
10
–
–
190
–
? F
m ?
°C
°C
Notes
15. Design information only. This parameter is not production tested.
16. IDO refers to Load Current on External LDOFET - IRL2703 is the Intersil MOSFET.
34701
Analog Integrated Circuit Device Data ?
10
Freescale Semiconductor
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