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参数资料
| 型号： | MG200Q2YS60A |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-123C1B, 11 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG200Q2YS60A |
MG200Q2YS60A
2003-08-05
4
3. Module (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Inverter IGBT stage
0.062
Junction to case thermal resistance
Rth (j-c)
Inverter FRD stage
0.136
°C/W
Case to fin thermal resistance
Rth (c-f)
With silicon compound
0.013
°C/W
Switching Time Test Circuit
Timing Chart
IC
RG
L
IF
VGE
VCC
td (on)
td (off)
trr
90%
10%
tf
IC
VGE
10%
Irr
90% Irr
20% Irr
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PDF描述 |
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