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参数资料
| 型号： | MG200Q2YS60A |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-123C1B, 11 PIN |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG200Q2YS60A |
MG200Q2YS60A
2003-08-05
7
SW
tim
e
(ns
)
SW
lo
ss
E
on
,E
of
f
(
m
J)
Forward voltage VF (V)
IF – VF
Forward
curren
t
I
F
(A
)
Gate-emi
tter
volt
ag
e
V
GE
(V)
Charge QG (nC)
VCE, VGE – QG
Colle
ctor-emi
tter
vo
ltage
V
CE
(V
)
Gate resistance RG ()
SW time – RG
SW
tim
e
(ns
)
Gate resistance RG ()
Eon, Eoff – RG
Collector current IC (A)
SW time – IC
Collector current IC (A)
Eon, Eoff – IC
SW
lo
ss
E
on
,E
of
f
(
m
J)
0
1
5
100
200
300
400
2
3
4
Common cathode
VGE = 0 V
Tj = 25°C
40°C
125°C
0
500
1000
1500
2000
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
VCE = 0 V
Common emitter
RL = 3
Tj = 25°C
200 V
600 V
400 V
10
5
0
10
15
20
25
1000
100
10000
VCC = 600 V
IC = 200 A
VGE = ±15 V
toff
tf
tr
td (on)
ton
td (off)
1
0
10
100
5
10
15
20
25
Eoff
Eon
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 200 A
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
10
0
50
100
150
200
100
1000
10000
toff
ton
td (on)
tr
tf
td (off)
Common emitter
VCC = 600 V
RG = 10
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
1
0
50
100
150
200
10
100
Eoff
Eon
Common emitter
VCC = 600 V
RG = 10
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
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