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参数资料
| 型号： | MG600Q1US61 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 390K |
| 代理商： | MG600Q1US61 |
MG600Q1US61
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US61
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: tf = 0.3 s (max)
Inductive load
Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.6 V (max)
The electrodes are isolated from case.
Enhancement-mode
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Tc
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Collector current
DC (Tc
= 80°C)
IC
600
A
Forward current
DC (Tc
= 80°C)
IF
600
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
5400
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
Visol
2500
(AC 1 minute)
Vrms
Terminal
3
Nm
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
G
E
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG600Q1US65H | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| MG600Q2YS60A | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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| MG6330-R | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN260V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:260V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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