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参数资料
型号： MG600Q1US61
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： 2-109F1A, 4 PIN
文件页数： 6/8页
文件大小： 390K
代理商： MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
6
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Forward current IF (A)
Irr, trr – IF
P
eak
rev
ers
er
eco
ver
ycu
rr
ent
I rr
(A
)
Reve
rs
e
re
co
ve
ry
tim
e
t
rr
(
s)
Forward current IF (A)
Edsw – IF
Reve
rs
e
re
co
ve
ry
lo
ss
E
dsw
(m
J)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C – VCE
I
V
C
apa
ci
ta
nce
C
(
p
F)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe operating area
Collector-emitter voltage VCE (V)
Reverse bias soa
Pulse width tw (s)
Rth (t) – tw
T
ransi
e
nt
t
he
rm
al
r
esi
st
anc
e
R
th
(j
-c)
(°C
/W
)
10
0
100
200
300
400
500
600
1000
100
VCC = 600 V
RG = 2
VGE = ±15 V
: Tj = 25°C
: Tj = 125°C
trr
Irr
1
0
100
200
300
400
500
600
100
10
VCC = 600 V
RG = 2
VGE = ±15 V
: Tj = 25°C
: Tj = 125°C
300
0.1
10000
100000
1000
5000
50000
500
3000
30000
1
10
100
5
50
0.5
30
3
0.3
Common emitter
f
= 1 MHz
Tj = 25°C
Cies
Coes
Cres
1
3
10
30
100
* Single nonrepetitive
pulse Tc
= 25°C
Curves must be with
increase in
temperature.
1000
3000
300
3
10
30
100
300
1000
3000
IC max (pulsed) *
IC max (continuous)
100
s*
1 ms*
50
s*
Tc
= 25°C
0.0003
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
Transistor stage
Diode stage
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
100
1000
10000
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
RG = 2
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PDF描述
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