参数资料
型号: MG600Q1US61
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: 2-109F1A, 4 PIN
文件页数: 4/8页
文件大小: 390K
代理商: MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
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vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
IC – VGE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
0
5
10
15
20
2
4
6
8
10
12
Common emitter
Tj = 25°C
IC = 300 A
900
600
0
5
10
15
20
2
4
6
8
10
12
Common emitter
Tj = 125°C
600
IC = 300 A
900
500
400
300
200
100
0
2
4
6
8
10
Common
emitter
Tj = 25°C
600
700
800
20
15
10
VGE = 9 V
12
900
500
400
300
200
100
0
2
4
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8
10
Common
emitter
Tj = 25°C
600
700
800
20
15
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VGE = 9 V
12
0
5
10
15
20
2
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Common emitter
Tj = 40°C
900
IC = 300 A
600
900
500
400
300
200
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0
600
700
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Common emitter
VCE = 5 V
0
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6
2
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Tj = 125°C
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